Оперативная память Patriot PSD48G213381S DIMM 8Gb DDR4 2133MHz
Оперативная память для ноутбука 8Gb (1x8Gb) PC4-17000 2133MHz DDR4 DIMM CL15 Patriot PSD48G213381S
Оперативная память для ноутбука 8Gb (1x8Gb) PC4-17000 2133MHz DDR4 DIMM CL15 Patriot PSD48G213381S
Модуль памяти Patriot Memory DDR4 SO-DIMM 2133MHz PC4-17000 - 8Gb PSD48G213381S
Оперативная память для ноутбука 8Gb (1x8Gb) PC4-17000 2133MHz DDR4 DIMM CL15 Patriot PSD48G213381S
Бренд: Patriot; Название товара: Модуль оперативной памяти; Модель: PSD48G213381S; Назначение: для ноутбука; Количество модулей памяти в комплекте: 1 шт.; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 8Gb; Объем одного модуля памяти: 8Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-17000 2133MHz; P\\N: PSD48G213381S; Тайминги: 15; Латентность: CL15; Питание: 1.2 В; Охлаждение: Нет; Прочие особенности и свойства: н/д; Размеры, вес: н/д
Оперативная память Patriot Patriot DIMM 4Gb DDR4 2133MHz
Память оперативная DDR4 Patriot Memory 8Gb 2133MHz (PSD48G213381S)
8-гигабайтная оперативная память SODIMM Patriot Signature [PSD48G213381S] – модель от известного производителя памяти разных типов. Модуль совместим с ноутбуками, которые рассчитаны на монтаж памяти DDR4. Вы сможете без лишних усилий модернизировать существующую память или добавить модуль к уже установленному устройству, увеличив, таким образом, общий объем памяти. Объема модуля хватит для обеспечения заметного прироста производительности системы. Оперативная память SODIMM Patriot Signature [PSD48G213381S] может функционировать с использованием нескольких частот: 1600, 1866 и 2133 МГц. Модуль характеризуется таймингами 15-15-15. Напряжение питания устройства, равное 1.2 В, соответствует стандартным для памяти DDR4 значениям. При производстве модуля была использована двусторонняя установка чипов. С одной из сторон на устройство нанесена наклейка с техническими данными, украшенная логотипом производителя. Модуль имеет упаковку традиционного конструктивного исполнения. Прозрачная коробка из высококачественного пластика надежно защищает память от случайных внешних воздействий.
